晶硅太阳能电池激光刻槽设备

刻线线宽：          12-30μm，±3μm刻线深度：          2-5μm，±2μm刻线速度：          可调，最大4s/片直线度：            ±20μm工作台重复定位精度：±10μm额定输入电压：      三相380VAC，50Hz/60Hz,带保护地线冷却方式：          水冷加工范围：          125×125mm、156×156mm 应用领域：专用于晶硅太阳能电池选择性扩散

Category: 太阳能

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