如今，对于太阳能薄膜电池（非晶硅、CdTe，CIGS等）的激光划线和激光去边技术已经被广泛应用在生产线上，此外，对于薄膜电池的绝缘，透光组件（用于光伏与建筑一体化）技术也有逐渐被应用，德力激光一直在以上几个应用成为国内市场的主要供应商，并且成功与整线供应商合作，为其代工产线中所需的激光设备，目前在国内许多薄膜电池公司都可以看见我们的公司设备在量产。此外，激光技术也被应用在高效电池的研发和生产中，诸如激光钻孔(EWT&MWT)，绝缘，激光掺杂等等，德力激光已经在这些方面建立了坚实的工艺基础，并获得多家电池片制造商的认可。
共 5 个产品
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刻线线宽： 12-30μm，±3μm
刻线深度： 2-5μm，±2μm
刻线速度： 可调，最大4s/片
直线度： ±20μm
工作台重复定位精度：±10μm
额定输入电压： 三相380VAC，50Hz/60Hz,带保护地线
冷却方式： 水冷
加工范围： 125×125mm、156×156mm
应用领域：
专用于晶硅太阳能电池选择性扩散
产品名称： CellScriber
应用区域： a-si/u-si·CIGS·CdTe
激光波长： 1064nm·532nm·355nm
刻划幅面： 1100×1400mm（标配）
刻划线宽： 30-250μm
刻划速度： 最大1200mm/s
分光数： 4或6或8
产品特点:
全自动CCD定位系统
全自动上下料系统（选配）
高效除尘系统
自动温控系统
便捷控制系统
应用领域：（薄膜太阳能电池）
电极刻划（P1、P2、P3）
绝缘线刻划（P4）
钻孔直径： 大于30um
•速 度： 可调，0.1s /hole(实验型）
•定位精度： ±5μm
•冷却方式： 水冷
•加工范围： 125×125，156×156mm或其他半导体硅晶圆
•应 用： 单晶硅，多晶硅等材料
激 光 器： 可选（建议532或355nm)
在0.2晶片上钻0.2毫米的孔，速度为0.2s/hole，侧壁质量良好。
描述：薄膜太阳能电池(a-Si、CI(G)S、CdTe等)刻线，应用于P1,P2,P3工业量产。根据材料对激光的吸收系数的不同，需要为特定的加工工艺选择合适的激光波长。绿激光对于硅的破坏阈值远低于其对TCO的破坏阈值，因此绿激光可以安全透过TCO膜层后，对吸收层进行刻线。P2层和P3层的刻线机理与P1层相同。由于绿光激光器的平均功率均为数瓦量级，因此能够将光束分光后进行多光束并行加工，从而进一步提高工作效率。对于P1、P2和P3层的刻线应用而言，用于微加工应用的、输出波长为1064nm和532nm的结构小巧紧凑的二极管泵浦激光器，无疑是无疑是一种理想的选择，并且这种激光器能够提供极高的脉冲稳定性。这类激光器的脉冲持续时间为8~ 40ns，脉冲重复频率为1~100kHz。
