钻孔直径： 大于30um •速 度： 可调，0.1s /hole(实验型） •定位精度： ±5μm •冷却方式： 水冷 •加工范围： 125×125，156×156mm或其他半导体硅晶圆 •应 用： 单晶硅，多晶硅等材料 激 光 器： 可选（建议532或355nm)
Category: 太阳能
Tags:硅片钻孔 晶硅钻孔 硅晶圆打孔 激光钻孔
Category: 半导体
